Resumen

Se investiga la fotoluminiscencia (PL) de películas delgadas de ZnO preparadas en sustratos de c-AlO mediante deposición por láser pulsado (PLD). Para todas las muestras, los espectros a temperatura ambiente (RT) muestran una fuerte emisión ultravioleta (UV) en el borde de la banda con una marcada cola de banda de baja energía. El origen de esta emisión UV se analiza mediante la dependencia de la temperatura de los espectros de PL. El resultado muestra que la emisión UV a RT contiene diferentes procesos de recombinación. A baja temperatura, la emisión de excitones ligados a donantes (DX) juega un papel importante en los espectros de PL, mientras que la transición de excitón libre (FX) gradualmente domina el espectro con el aumento de la temperatura. Se señala que a baja temperatura aparece una banda de emisión (FA) en el lado de baja energía de DX y FX y puede sobrevivir hasta RT. Una confirmación adicional muestra que el origen de la banda FA puede atribuirse a las transiciones de electrones de la banda de conducción a aceptores (e, A), en las cuales la energía de enlace del aceptor se estima en aproximadamente 121meV. Se concluye que a temperatura ambiente, la emisión UV tiene su origen en las contribuciones conjuntas de los excitones libres y las transiciones de electrones libres a aceptores.

• Materias:Ionización Espectrofotometría Fluidos de perforación Análisis fluorimétrico Farmacocinética metabolómica
• Subjects:Ionization Spectrophotometry Drilling fluids Fluorimetric analysis Metabolomic pharmacokinetics
• Palabras claves:Fotoluminiscencia; Películas delgadas de ZnO; Deposición por láser pulsado; Emisión UV; Transición de excitones; Banda de conducción.
• Keywords:Photoluminescence; ZnO thin films; Pulsed laser deposition; UV emission; Exciton transition; Conduction band.