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Tres muestras con capas dieléctricas de materiales dieléctricos de alta constante dieléctrica, óxido de hafnio, óxido de gadolinio-silicio y óxido de lantano-lutecio sobre sustrato de silicio fueron estudiadas mediante espectroscopía Raman. Los resultados obtenidos para los materiales dieléctricos de alta constante dieléctrica fueron comparados con espectros registrados para dióxido de silicio. Los espectros Raman sugieren la similitud del óxido de gadolinio-silicio y el óxido de lantano-lutecio con el dióxido de silicio no densificado a granel. El tratamiento térmico del óxido de hafnio muestra la evolución de la estructura de este material. Los espectros Raman registrados para el óxido de hafnio son similares a los resultados obtenidos para la capa de dióxido de silicio. Después del tratamiento térmico, especialmente a temperaturas más altas (600°C y superiores
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