Se prepararon capas conductoras complejas transparentes de ITO/ZnO e ITO/SnO2 mediante pulverización catódica por CC y RF. Su estructura y rendimiento óptico y electrónico se estudiaron mediante DRX, espectroscopia UV/Vis y tecnología de cuatro sondas. Las características de la interfaz y el desplazamiento de banda de ITO/ZnO, ITO/SnO2 e ITO/CdS se investigaron mediante espectroscopia fotoelectrónica ultravioleta (UPS) y espectroscopia fotoelectrónica de rayos X (XPS), y también se determinaron los diagramas de bandas de energía. Los resultados muestran que las películas ITO/ZnO e ITO/SnO2 tienen buenas propiedades ópticas y eléctricas. Las barreras de energía en la interfaz de las capas ITO/ZnO e ITO/SnO2 son de casi 0,4 y 0,44 eV, inferiores a las de las heterouniones ITO/CdS (0,9 eV), lo que resulta beneficioso para la transferencia y captación de electrones en las células solares de CdTe y reduce la recombinación de portadores minoritarios en la interfaz, en comparación con CdS/ITO. Los efectos de su uso en células solares de CdTe se estudiaron mediante simulación con el software AMPS-1D utilizando valores experimentales obtenidos con ZnO, ITO y SnO2. A partir de la simulación, confirmamos el aumento de Eff, FF, Voc, e Isc mediante la introducción de las capas ITO/ZnO e ITO/SnO2 en las células solares de CdTe.
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