Resumen

Se optimizaron el método y las condiciones de recubrimiento con Ni para maximizar la producción de una batería betavoltaica utilizando 63Ni radiactivo. La diferencia de las corrientes de cortocircuito entre el pre y el postdepositado de 63Ni en la unión PN fue de 90 nA en las características I-V. Se sospecha que los rayos beta emitidos por el 63Ni no penetraron profundamente en la unión PN debido a una capa semilla de Ni con un espesor de 500 Å. Para aumentar la penetración de los rayos beta, se realizó un recubrimiento electrolítico de Ni en la unión PN sin una capa semilla. Para establecer las condiciones de recubrimiento químico del 63Ni, se depositó Ni no radiactivo sobre una oblea de Si sin defectos en la superficie. Este proceso puede aplicarse en futuros estudios para el recubrimiento químico con Ni de un semiconductor de unión PN utilizando 63Ni radiactivo.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:unión pn, rayos beta, capa semilla de ni, semiconductor de unión pn, recubrimiento químico con ni, condiciones de recubrimiento químico, corrientes de cortocircuito, recubrimiento con ni, oblea si, características v
• Keywords:pn junction, beta rays, ni seed layer, pn junction semiconductor, electroless ni plating, electroless coating conditions, short circuit currents, ni plating, si wafer, v characteristics