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Study on the Microstructure and Electrical Properties of Boron and Sulfur Codoped Diamond Films Deposited Using Chemical Vapor DepositionEstudio de la Microestructura y Propiedades Eléctricas de Películas de Diamante Codopadas con Boro y Azufre Depositadas mediante Deposición Química en Fase Vapor

Resumen

Se han investigado la microestructura a escala atómica y las propiedades de emisión de electrones de películas de diamante codopadas con boro y azufre (denominadas B-S) crecidas sobre sustratos de diamante a alta temperatura y alta presión (HTHP) y de Si mediante técnicas de microscopía de fuerza atómica (AFM), microscopía de efecto túnel (STM), espectroscopía de masas de iones secundarios (SIMS) y espectroscopía de efecto túnel con imágenes de corriente (CITS). Las películas crecidas sobre Si consistían en granos grandes con nucleación secundaria, mientras que las de diamante HTHP se componen de facetas policristalinas bien desarrolladas con un tamaño medio de 10-50 nm. Los análisis SIMS confirmaron que el azufre se introdujo con éxito en las películas de diamante, y una pequeña cantidad de boro facilitó la incorporación de azufre en el diamante. Se observaron grandes corrientes de túnel en algunos límites de grano, y el carácter de emisión era mejor en los límites de grano que en el centro del cristal. Las películas crecidas sobre sustratos de diamante HTHP eran mucho más perfectas y de mayor calidad que las depositadas sobre sustratos de Si. Las características I-V locales de las películas depositadas sobre sustratos de Si o de diamante HTHP indican una conducción de tipo n.

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