Resumen

Investigamos en detalle la característica del defecto A s Ga G a As en clusters de arseniuro de galio mediante cálculos de primeros principios basados en la teoría del funcional de la densidad (DFT). Nuestros cálculos revelan que el nivel donante más bajo del defecto A s Ga G a As en la superficie cristalina del arseniuro de galio es de 0,85 eV por debajo del mínimo de la banda de conducción, mientras que el nivel donante más bajo del defecto A s Ga G a As en el interior del grueso del arseniuro de galio es de 0,83 eV por debajo del fondo de la banda de conducción, en consonancia con el nivel de defecto EL2 del arseniuro de galio de valor experimental (Ec-0,82 eV). Esto sugiere que el defecto A s Ga G a As es uno de los posibles defectos de nivel profundo EL2 del arseniuro de galio. Además, nuestros resultados también indican que las energías de formación de los defectos internos A s Ga G a As y superficiales A s Ga G a As se predicen en torno a 2,36 eV y 5,54 eV, respectivamente. Esto implica que la formación del defecto A s Ga G a As dentro del cristal es más fácil que la de la superficie. Nuestros resultados ofrecen ayuda para discutir la estructura del defecto de nivel profundo del arseniuro de galio y su efecto en el material.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:ga g, defecto, nivel donante más bajo, s ga g, arseniuro de galio el2 nivel de defecto, arseniuro de galio superficie cristalina, posible arseniuro de galio el2, banda de conducción mínima, arseniuro de galio bulk, arseniuro de galio clusters
• Keywords:ga g, defect, lowest donor level, s ga g, gallium arsenide el2 defect level, gallium arsenide crystal surface, possible gallium arsenide el2, conduction band minimum, gallium arsenide bulk, gallium arsenide clusters