Resumen

Se ha investigado metódicamente una distribución interfacial dependiente del espesor de las cargas de óxido para estructuras delgadas de semiconductores de óxido metálico (MOS) que utilizan materiales de alta k ZrO2 y HfO2. Las densidades de carga de la interfaz se analizan mediante el método de capacitancia-voltaje (C-V) y también de conductancia (G-V). Se indica que, al reducir el espesor efectivo del óxido (EOT), las densidades de carga de la interfaz (Dit) aumentan linealmente. Para el mismo EOT, se ha encontrado que Dit para los materiales es del orden de 1012 cm-2 eV-1 y se origina un buen acuerdo con los resultados de fabricación publicados a un nivel de dopaje tipo p de 1×1017 cm-3. Los cálculos numéricos y las soluciones se realizan con MATLAB y la simulación del dispositivo se realiza con ATLAS.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:densidad de carga de la interfaz, resultados de fabricación publicados, semiconductor de óxido metálico, espesor efectivo del óxido, distribución interfacial dependiente, buena concordancia, métodos, material zro2, simulación del dispositivo, cálculo numérico
• Keywords:interface charge density, published fabrication results, metal oxide semiconductor, effective oxide thickness, dependent interfacial distribution, good agreement, methods, material zro2, device simulation, numerical calculation