Resumen

El artículo presenta el estudio de las propiedades de dopaje tipo p de nanocristales de ZnS (Ncs) utilizando la teoría de aproximación de la densidad local (LDA). Los nanocristales de ZnS dopados con una sola especie de N, P o As presentan una concentración y eficiencia de dopado bajas, que pueden estar limitadas por el gran efecto de expulsión entre el Zn y los átomos de impureza y la acción de compensación de los átomos intersticiales de Znint que pueden ofrecer estados donantes para compensar los aceptores. Para disminuir el efecto de expulsión y de compensación, se aplican dopantes compuestos, como N unido a Ga, In o Al, para codopear nanocristales de ZnS. Como resultado, se completan nanocristales de ZnS en tipo p con alta densidad de dopaje y eficientes.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanopartículas Nanocompuestos Nanocables
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanoparticles Nanocomposites Nanowires
• Palabras claves:nanocristales de zns, teoría de aproximación de la densidad local, alta densidad de dopaje, átomos intersticiales de znint, gran efecto de expulsión, propiedades de dopaje tipo, acción de compensación, efecto de compensación, dopantes compuestos, estados donantes
• Keywords:zns nanocrystals, local density approximation theory, high doping density, interstitial znint atoms, large expelling effect, type doping properties, compensation action, compensation effect, composite dopants, donor states