Resumen

Se ha utilizado un blanco cerámico de tinoxido de indio (ITO) (90% In2O3-10%SnO2) para preparar películas delgadas semiconductoras transparentes sobre sustrato de vidrio mediante pulverización catódica por magnetrón de RF a temperatura ambiente. Las propiedades de las películas delgadas se ven afectadas por el control de los parámetros de deposición, a saber, los valores de potencia de RF y los tiempos de deposición. La estructura, morfología y propiedades ópticas y eléctricas de las películas delgadas se investigan mediante difracción de rayos X (DRX), microscopio electrónico de barrido por emisión de campo (FESEM), microscopio de fuerza atómica (AFM), espectrofotómetro UV-Vis y medición con sonda de cuatro puntos. Las nanopartículas de 10-20 nm se miden y confirman mediante FESEM y AFM. Las principales orientaciones preferidas de las láminas delgadas preparadas son (222) y (400) de la estructura cúbica ITO. Las películas semiconductoras transparentes presentan una elevada transmitancia en el rango visible de valores 80-90 y una resistividad de aproximadamente 1,62×10-4 Ω-cm.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:películas delgadas, películas delgadas semiconductoras transparentes, valores de potencia rf, microscopio de fuerza atómica, estructura cúbica ito, principales orientaciones preferidas, medición con sonda puntual, películas delgadas preparadas, películas semiconductoras transparentes, afm
• Keywords:thin films, transparent semiconductive thin films, rf power values, atomic force microscope, cubic ito structure, main preferred orientations, point probe measurement, prepared thin films, transparent semiconductive films, afm