Resumen

Se ha investigado un nuevo modulador a nanoescala basado en el silicio a distintas temperaturas. Además de estas dos ventajas, las dimensiones a nanoescala (frente a los sensores de temperatura MEMS) y el material integrado a base de silicio (frente a los polímeros), la tercera novedad de este dispositivo optoelectrónico es que puede activarse como modulador fotoactivado de silicio en aislante (SOIPAM) o como modulador termoactivado de silicio en aislante (SOITAM). En este trabajo se han investigado los efectos estáticos y temporales de la temperatura sobre la corriente. El objetivo de la simulación de temperatura dependiente del tiempo era establecer un pulso temporal y comprobar, para unas dimensiones dadas, cuánto tiempo tardaría el perfil de temperatura y el cambio en la concentración de electrones en volver al estado estacionario. Asegurando que la respuesta térmica es lo suficientemente rápida, el dispositivo puede funcionar como modulador mediante estimulación térmica o, por otro lado, puede utilizarse como sensor/imagen térmica. Presentamos aquí el diseño, la simulación y el modelo de la segunda generación, que parece capaz de acelerar las capacidades de procesamiento. Este novedoso dispositivo puede servir de base para el desarrollo del procesamiento óptico/térmico de datos, al tiempo que abre el camino a todos los procesadores ópticos basados en chips de silicio que se fabrican mediante el típico proceso de fabricación microelectrónica.

• Materias:Biotecnología Redes de sensores Sistema de sensores Diagnóstico de fallas Tecnología de sensores Diagnóstico de fallos
• Subjects:Biotechnology Sensor networks Sensor system Fault diagnosis Sensor technology
• Palabras claves:proceso típico de fabricación de microelectrónica, modulador fotoactivado con aislante, modulador termoactivado con aislante, sensores de temperatura mems, efectos dependientes de la temperatura, simulación de temperatura dependiente, nuevo silicio a nanoescala, tal dispositivo optoelectrónico, tratamiento térmico de datos, silicio
• Keywords:typical microelectronics fabrication process, insulator photoactivated modulator, insulator thermoactivated modulator, mems temperature sensors, dependent temperature effects, dependent temperature simulation, new nanoscale silicon, such optoelectronic device, thermal data processing, silicon