Resumen

En el estudio actual, se diseñó y caracterizó un dispositivo Schottky de microondas de Au/BN/C de ida y vuelta. La morfología y rugosidad del dispositivo fueron evaluadas mediante microscopía electrónica de barrido y microscopía de fuerza atómica. Como se verificó por el mecanismo de transporte de corriente de Richardson-Schottky que se ajusta bien a los datos experimentales, la dependencia de la temperatura de las características corriente-voltaje de los dispositivos está dominada por la emisión termoiónica asistida por campo eléctrico de portadores de carga sobre una altura de barrera de ~0.87eV y un ancho de región de agotamiento de ~1.1m. Tanto el ancho de agotamiento como la altura de barrera siguieron una tendencia creciente con el aumento de la temperatura. Por otro lado, el análisis de conductividad de corriente alterna, que se llevó a cabo en el rango de frecuencia de 100-1400MHz, reveló la dominación del túnel mecánico cuánt

• Materias:Duplicador de voltaje Controlador de puerta Diseño de funciones Filtro de paso Amplificador de transconductancia
• Subjects:Voltage doubler Gate driver Function design Pass filter Transconductance amplifier
• Palabras claves:Dispositivo Schottky; Microondas; Características corriente-voltaje; Túnel cuántico mediante mecánica cuántica
• Keywords:Au; Bn/c; Schottky device; Microwave; Current-voltage characteristics; Quantum mechanical tunneling