Resumen

Se prepararon películas de InN con estructura wurtzita sobre sustratos de Si(100) utilizando el sistema de epitaxia de haces moleculares metal-orgánicos por radiofrecuencia (RF-MOMBE). Se utilizaron películas de ZnO dopado con Ga (GZO) y AlN amorfo (a-AlN) como capas tampón para el crecimiento de las películas de InN. La estructura, la morfología superficial y las propiedades ópticas de las películas de InN se investigaron mediante difracción de rayos X (DRX), microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (FE-SEM), microscopía electrónica de transmisión (MET) y fotoluminiscencia (PL). Los resultados de la DRX indicaron que todas las películas de InN mostraban una orientación de crecimiento preferente a lo largo del eje c con diferentes tampones intermedios. Las imágenes de TEM muestran el crecimiento de InN/GZO por modo bidimensional y un espesor de unos 900 nm. Además, las películas de InN pueden obtenerse a una velocidad de crecimiento de ~1,8 μm/h. Las propiedades ópticas indican que la brecha de banda de InN/GZO es de unos 0,79 eV. Estos resultados indican que el control de la capa tampón es esencial para la ingeniería del crecimiento de InN sobre oblea de silicio.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:películas inn, inn, películas inn de estructura wurtzita, epitaxia orgánica de haces moleculares, crecimiento de películas inn, diferentes tampones intermedios, orientación preferida de crecimiento, microscopía electrónica de transmisión, gzo, aln amorfo
• Keywords:inn films, inn, wurtzite structure inn films, organic molecular beam epitaxy, inn films growth, different intermediate buffers, preferred growth orientation, transmission electron microscopy, gzo, amorphous aln