Resumen

Se investiga un nuevo modulador de modo dual SOI a nanoescala en función de los modos de activación óptico y térmico. Para caracterizar con precisión las especificaciones del dispositivo de cara a su futura integración en circuitos microelectrónicos, se estudian y comparan las variaciones temporales de corriente para cambios de temperatura constantes de "señal grande", así como para fuentes de temperatura fluctuantes de "señal pequeña". Se presenta un modelo de circuito equivalente para definir los parámetros que se evalúan mediante simulación numérica. Asegurando que la respuesta térmica es lo suficientemente rápida, el dispositivo puede funcionar como modulador mediante estimulación térmica o, por otro lado, puede utilizarse como sensor/imagen térmica. Presentamos aquí el diseño, la simulación y el modelo de la próxima generación, que parece capaz de acelerar las capacidades de procesamiento. Este novedoso dispositivo puede servir de base para el desarrollo del procesamiento óptico/térmico de datos, al tiempo que abre el camino a todos los procesadores ópticos basados en chips de silicio que se fabrican mediante el típico proceso de fabricación microelectrónica.

• Materias:Biotecnología Redes de sensores Sistema de sensores Diagnóstico de fallas Tecnología de sensores Diagnóstico de fallos
• Subjects:Biotechnology Sensor networks Sensor system Fault diagnosis Sensor technology
• Palabras claves:proceso típico de fabricación de microelectrónica, cambios constantes de temperatura, variaciones temporales de corriente, modelo de circuito equivalente, nueva soi a nanoescala, modos de activación térmica, tratamiento térmico de datos, bloque de construcción, especificaciones de dispositivos, integración futura
• Keywords:typical microelectronics fabrication process, constant temperature changes, current time variations, equivalent circuit model, new nanoscale soi, thermal activation modes, thermal data processing, building block, device specifications, future integration