Resumen

Se han realizado cálculos ab initio utilizando la teoría del funcional de la densidad (DFT) para explorar la estructura y la apertura de la brecha energética del grafeno con trivacancia puenteada y simple adsorbida con átomo de Fe. En comparación con la anterior trivacancia reconstruida adsorbida con átomo de Fe con una brecha energética de 0,10 eV, se ha identificado una estructura interesante para el complejo de trivacancia puenteada dopada con Fe, con un átomo de Fe por encima del plano del grafeno, y posee una brecha energética con el valor de 0,32 eV en la circunstancia puenteada. La brecha de banda puede explicarse por la disminución de los electrones libres. Estos resultados permiten comprender mejor la ingeniería de las propiedades del grafeno mediante la adición y manipulación de defectos para aplicaciones industriales de semiconductores como la tecnología fotocatalítica y la electrónica basada en el grafeno.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:átomo de fe, grafeno, brecha energética, cálculos ab initio, apertura de la brecha energética, aplicaciones industriales de semiconductores, trivacancia, brecha de banda, circunstancia de puente, adición de defectos
• Keywords:fe atom, graphene, energy gap, ab initio calculations, energy gap opening, industrial semiconductor applications, trivacancy, band gap, bridged circumstance, defect addition