Resumen

Mediante cálculos de primeros principios, hemos estudiado las estructuras atómicas y electrónicas de un átomo de Co incorporado con divacancia en un nanoribbón de grafeno armchair (AGNR). Nuestros resultados calculados muestran que el átomo de Co incrustado en AGNR da lugar a impactos significativos en las estructuras de banda y la configuración de espín FM es el estado fundamental. La presencia del dopaje de Co podría introducir propiedades magnéticas. Los resultados calculados revelaron la aparición de características de semiconductor sin hueco de espín con dopaje cerca del borde tanto en configuraciones magnéticas ferromagnéticas (FM) como antiferromagnéticas (AFM), lo que sugiere la robustez para la aplicación potencial de la espintrónica. Además, las estructuras electrónicas de los AGNR dopados con Co dependen en gran medida de los lugares de dopaje y de las configuraciones de los bordes.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:resultados calculados, estructuras electrónicas, configuración de espín fm, nanoribbono de grafeno armchair, cálculos de primeros principios, características de semiconductor sin hueco, átomo único de co, agnr, átomo de co, dopaje de co
• Keywords:calculated results, electronic structures, fm spin configuration, armchair graphene nanoribbon, first principles calculations, gapless semiconductor characteristics, single co atom, agnr, co atom, co doping