Resumen

Cu2ZnSnS4 (CZTS) ha atraído mucha atención recientemente como material de capa absorbente en una célula solar de heterounión. Utilizando el método de primeros principios, calculamos los desplazamientos de banda para la heterounión CdS/CZTS. El desplazamiento de la banda de valencia ΔEv es de 1,2 eV para la heterointerfaz (001) CdS/CZTS y de 1,0 eV para la heterointerfaz (010), cuando se considera que CZTS cristaliza en la estructura de kesterita. Cuando se considera que CZTS cristaliza en la estructura estannita, ΔEv=1,1 eV para la heterointerfaz (001) y ΔEv=1,3 eV para la heterointerfaz (010). En cualquier caso, el mínimo de la banda de conducción de CZTS es mayor que el de CdS, y el desplazamiento de la banda de conducción ΔEc se encuentra en un rango entre 0,1 y 0,4 eV.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:czts, cds, heterointerfaz, material de la capa absorbente, mínimo de la banda de conducción, heterointerfaz czts, heterounión czts, desplazamientos de banda, banda de conducción, estructura kesterita
• Keywords:czts, cds, heterointerface, absorber layer material, conduction band minimum, czts heterointerface, czts heterojunction, band offsets, conduction band, kesterite structure