Resumen

Presentamos dos métodos para extraer la resistencia en serie y el parámetro de degradación de movilidad en MOSFETs de canal corto. El principio del primer método se basa en la comparación entre el modelo exponencial y el modelo clásico de movilidad efectiva, y para el segundo método se basa en calcular directamente los dos parámetros resolviendo un sistema de dos ecuaciones obtenidas al utilizar dos puntos diferentes en inversión fuerte con un pequeño sesgo de drenaje de la característica (). Los resultados obtenidos con estas técnicas han mostrado una mejor concordancia con las mediciones de datos y han permitido al mismo tiempo determinar la amplitud de la rugosidad superficial y su influencia en la corriente máxima de drenaje y dar el grosor óptimo del óxido.

• Materias:Circuitos de inductancia Circuitos de oscilador Circuito híbrido Voltaje Universal Sensor termoeléctrico
• Subjects:Inductance circuits Oscillator circuits Hybrid circuit Universal Voltage Thermoelectric sensor
• Palabras claves:Métodos; Resistencia en serie; Parámetro de degradación de movilidad; MOSFET de canal corto; Movilidad efectiva; Amplitud de rugosidad superficial
• Keywords:Methods; Series resistance; Mobility degradation parameter; Short-channel MOSFETs; Effective mobility; Surface roughness amplitude