Resumen

Se prepararon películas delgadas resistivas de Ni-Cr-Si-Al-Ta sobre sustratos de vidrio y Al2O3 mediante cosputtering por magnetrón de corriente continua a partir de blancos de aleación de fundición Ni0,35-Cr0,25-Si0,2-Al0,2 y metal Ta. Se investigaron las propiedades eléctricas y las microestructuras de las películas de Ni-Cr-Si-Al-Ta bajo diferentes potencias de sputtering y temperaturas de recocido. La evolución de las fases, la microestructura y la composición de las películas de Ni-Cr-Si-Al-Ta se caracterizaron mediante difracción de rayos X (DRX), microscopía electrónica de transmisión (TEM) y espectroscopia electrónica Auger (AES). Cuando la temperatura de recocido se fijó en 300°C, se observaron películas de Ni-Cr-Si-Al-Ta con una estructura amorfa. Cuando la temperatura de recocido fue de 500°C, las películas de Ni-Cr-Si-Al-Ta cristalizaron en las fases Al0,9Ni4,22, Cr2Ta y Ta5Si3. Las películas de Ni-Cr-Si-Al-Ta depositadas a 100 W y recocidas a 300°C mostraron la mayor resistividad 2215 μΩ-cm con -10 ppm/°C de coeficiente de resistencia de temperatura (TCR).

• Materias:Aluminio Propiedades fisicoquímicas Hidráulica Agua Ingenierí­a hidráulica Soldadura Hidróxido de aluminio
• Subjects:Aluminum Chemicophysical properties Hydraulics Water Hydraulic engineering Welding Aluminum hydroxide
• Palabras claves:película ta, cr, ni, temperatura, coeficiente de resistencia, película fina resistiva, diferentes potencias de sputtering, microestructuras de ni, espectroscopia electrónica de barrena, composición de ni
• Keywords:ta film, cr, ni, temperature, coefficient of resistance, resistive thin film, different sputtering power, microstructures of ni, auger electron spectroscopy, composition of ni