Resumen

Aunque el carburo de silicio (SiC) es un material estructural y de revestimiento con excelentes propiedades para la protección contra accidentes de reactores nucleares, cuando se expone a diversos ambientes como la irradiación de neutrones. Se generan defectos en el entramado en cantidades significativamente mayores en comparación con las concentraciones normales y donde posteriormente se evidencian comportamientos de daño por radiación (por ejemplo, hinchazón por radiación). Este documento presenta un estudio del efecto de la irradiación de neutrones sobre el hinchamiento del volumen de una película cúbica de SiC con 0,3 mm utilizando la combinación de dinámica molecular (MD) y teoría de velocidad (RT). La generación de defectos puntuales se modela con los métodos BC y MD, la evolución simple de los defectos puntuales se modela con la teoría RT, y la relación entre varios defectos puntuales y el exceso de volumen (es decir, tensión o hinchazón) se estudia mediante simulación MD.

• Materias:Carbono de silicio Tecnologí­a de los materiales Silicio Materiales Dinámica molecular
• Subjects:Silicon carbide Materials engineering Silicon Materials Molecular dynamics
• Palabras claves:Carburo de silicio; Dinámica molecular; Hinchazón por irradiación; Daños por radiación; Tasa de teoría
• Keywords:Silicon carbide; Molecular dynamics; Irradiation swelling; Radiation damage; Rate theory