Debido al problema de que la capa de patrón metálico en la parte superior de la estructura metamaterial tradicional es fácil de oxidar y fácil de caer, en este trabajo se ha propuesto una nueva nanoestructura metamaterial semiconductora compuesta por una matriz periódica de cubos de GaAs-SiO2 y una película de oro (Au). Utilizando el software de soluciones FDTD se demuestra que esta estructura metamaterial puede lograr una absorción de banda dual ultrarrápida, casi perfecta, con una absorbancia máxima del 99
y un valor de ancho completo a medio máximo (FWHM) inferior a 20 nm en la región del infrarrojo medio. La sensibilidad al índice de refracción se demuestra cambiando el índice de fondo y analizando el rendimiento de absorción. Se ha demostrado que este absorbedor tiene una alta sensibilidad (2000/RIU y 1300/RIU). El uso de material semiconductor en lugar del material metálico de la capa de patrón superior puede inhibir eficazmente el fallo de rendimiento de la estructura metamaterial causado por la oxidación del metal. El absorbedor metamaterial propuesto, estrecho y de doble banda, presenta perspectivas prometedoras en aplicaciones como la detección de infrarrojos y la formación de imágenes.
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