Resumen

Se utilizaron películas intrínsecas de óxido de silicio amorfo hidrogenado (i-a-SiO:H) como capas tampón delantera y trasera en células solares de heterounión de silicio cristalino (c-Si-HJ). La pasividad superficial y la vida útil efectiva de estas películas de i-a-SiO:H sobre una oblea de silicio tipo n se mejoraron aumentando las proporciones de CO2/SiH4 en las películas. Se investigó el uso de i-a-SiO:H como capas tampón delantera y trasera en células solares c-Si-HJ. El espesor de la capa tampón delantera de i-a-SiO:H y la relación CO2/SiH4 influyeron en el voltaje en circuito abierto (Voc), el factor de llenado (FF) y el coeficiente de temperatura (TC) de las células solares c-Si-HJ. La mayor eficiencia de área total obtenida fue del 18,5% (Voc=700 mV, Jsc=33,5 mA/cm2, y FF=0,79). El TC normalizado para esta eficiencia de célula solar c-Si-HJ fue de -0,301%/°C.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:capas amortiguadoras traseras, células solares, espesor de la capa amortiguadora h, mayor eficiencia de área total, óxido de silicio amorfo, heterounión de silicio cristalino, eficiencia de células solares, tipo oblea de silicio, co2, películas
• Keywords:rear buffer layers, solar cells, h buffer layer thickness, highest total area efficiency, amorphous silicon oxide, crystalline silicon heterojunction, solar cell efficiency, type silicon wafer, co2, films