Se utilizaron películas intrínsecas de óxido de silicio amorfo hidrogenado (i-a-SiO:H) como capas tampón delantera y trasera en células solares de heterounión de silicio cristalino (c-Si-HJ). La pasividad superficial y la vida útil efectiva de estas películas de i-a-SiO:H sobre una oblea de silicio tipo n se mejoraron aumentando las proporciones de CO2/SiH4 en las películas. Se investigó el uso de i-a-SiO:H como capas tampón delantera y trasera en células solares c-Si-HJ. El espesor de la capa tampón delantera de i-a-SiO:H y la relación CO2/SiH4 influyeron en el voltaje en circuito abierto (Voc), el factor de llenado (FF) y el coeficiente de temperatura (TC) de las células solares c-Si-HJ. La mayor eficiencia de área total obtenida fue del 18,5% (Voc=700 mV, Jsc=33,5 mA/cm2, y FF=0,79). El TC normalizado para esta eficiencia de célula solar c-Si-HJ fue de -0,301%/°C.
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