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Study on Size-Dependent Young’s Modulus of a Silicon Nanobeam by Molecular Dynamics SimulationEstudio del módulo de Young dependiente del tamaño de un nanohaz de silicio mediante simulación de dinámica molecular

Resumen

Se estudia el módulo de Young de un nanohaz de silicio con sección transversal rectangular mediante el método de dinámica molecular. Se realizan simulaciones dinámicas para nanohaces de silicio doblemente fijados con longitudes que oscilan entre 4,888 y 12,491 nm y secciones transversales que van de 1,22 nm × 1,22 nm a 3,39 nm × 3,39 nm. Los resultados muestran que los módulos de Young de estos pequeños nanohazes de silicio son muy superiores al valor del módulo de Young del silicio a granel. Además, la frecuencia de resonancia y el módulo de Young del nanohaz de Si dependen en gran medida no sólo del tamaño del nanohaz, sino también de los efectos superficiales. El módulo de Young aumenta significativamente al disminuir el grosor del nanohaz de silicio. Este resultado coincide cualitativamente con una de las conclusiones basadas en un modelo de semicontinuo, en el que se tuvieron en cuenta la relajación de la superficie y la tensión superficial. En este trabajo también se estudian los efectos de la reconstrucción de la superficie con (2 × 1) atenuadores sobre la frecuencia de resonancia y el módulo de Young. Se demuestra que la reconstrucción de la superficie hace que el nanohaz de silicio sea más rígido que el que no la tiene, lo que se traduce en una mayor frecuencia de resonancia y un mayor módulo de Young.

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