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Sensing Performance Study of SiC, a Wide Bandgap Semiconductor Material Platform for Surface Plasmon Resonance SensorEstudio del rendimiento de detección del SiC, un material semiconductor de banda prohibida ancha para el sensor de resonancia de plasmón superficial

Resumen

Se han estudiado las propiedades de detección de un sensor de guía de ondas basado en la resonancia de plasmón superficial (SPR) sobre un semiconductor de banda prohibida ancha, el carburo de silicio (SiC). En comparación con otros sensores de guía de ondas, la gran energía de banda prohibida del material SiC permite que el sensor funcione en el rango de longitudes de onda del visible y el infrarrojo cercano, mientras que se espera que el efecto SPR mediante una fina película de oro mejore la sensibilidad. El factor de confinamiento del sensor a distintas longitudes de onda de la luz incidente y el índice de refracción del analito se investigaron mediante un método de índice efectivo. Dado que el cambio de tipo y concentración del analito se refleja en el cambio del índice de refracción, el rendimiento del sensor puede evaluarse mediante el desplazamiento de la longitud de onda resonante del espectro del factor de confinamiento a diferentes índices de refracción. Los resultados muestran que el desplazamiento de la longitud de onda resonante presenta características lineales. Se puede obtener una sensibilidad de 1928 nm/RIU (unidad de índice de refracción) a partir del índice de refracción de 1,338~1,348, lo que atrae el interés de los investigadores, ya que la mayoría de los analitos biológicos se encuentran en este intervalo.

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