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DFT Study of Polythiophene Energy Band Gap and Substitution EffectsEstudio DFT de la brecha de banda energética del politiofeno y efectos de sustitución

Resumen

El politiofeno (PTh) y sus derivados son materiales basados en polímeros con un marco de π-conjugación. El PTh es un material fotoeléctrico útil y puede utilizarse en dispositivos semiconductores orgánicos, como PLED, OLED y células solares. Sus propiedades se basan en la estructura molecular; los derivados contienen diferentes sustituyentes en las posiciones 3 y 5, como grupos donadores o sustractores de electrones. Todas las geometrías moleculares se optimizaron en el nivel teórico B3LYP/6-31G(d,p). La brecha energética (Egap) entre los niveles HOMO y LUMO está relacionada con la π-conjugación en la columna vertebral del polímero PTh. En este estudio, los cálculos DFT se realizaron para las variantes no sustituidas y 3,5-sustituidas para investigar las geometrías de estabilidad y las propiedades eléctricas. Los cálculos teóricos muestran que las formas sustituidas son estables, tienen bajo Egap, y están en buen acuerdo con las observaciones experimentales.

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