La anodización de la aleación Ti-Cu (2%) se realizó en una solución de H3PO4 5M durante 2 minutos. Las capas obtenidas se caracterizaron mediante XPS, difracción de rayos X y espectroscopia Raman. Los resultados mostraron que las películas obtenidas están compuestas por óxido de TiO2 poco cristalizado. Los estudios de espectroscopia de impedancia electroquímica revelaron que el espesor de la película formada aumenta con el incremento del potencial de anodización. Además, la resistencia a la transferencia de carga es mayor cuando aumenta el potencial de anodización. Así, el modelo Mott Schottky reveló que la película formada es un semiconductor de tipo n. La densidad de portadores de carga concuerda bien con las encontradas en la literatura. Además, se encuentra que el potencial de banda plana aumenta con el incremento del potencial de tratamiento.
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