Resumen

Se investigó una célula solar de silicio amorfo (a-Si) de tipo p-i-n en la que se varió el caudal de diborano de la capa de tipo p y se midieron las características estáticas/dinámicas de la célula solar. La interfaz p/i de las células solares de silicio amorfo de película delgada se estudió en función del número de coordinación de los átomos de boro en la capa p. Las propiedades de la capa p-tipo y de la interfaz p/i se obtuvieron a partir de la espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS) y la espectroscopia de impedancia. Una de las células solares muestra una tensión de circuito abierto (Voc)=880 mV, una densidad de corriente de cortocircuito (Jsc)=14,21 mA/cm2, un factor de llenado (FF)=72,03% y una eficiencia (η)=8,8%, mientras que la capa de tipo p estaba dopada con un 0,1%. La medición espectroscópica de la impedancia mostró que el factor de idealidad del diodo y el potencial incorporado cambiaban con el cambio del caudal de diborano.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:caudal de diborano, capa tipo, silicio amorfo, célula solar, células solares, factor de idealidad del diodo, medida espectroscópica de impedancia, tensión de circuito abierto, espectroscopia de fotoelectrones de rayos, átomos de boro
• Keywords:diborane flow rate, type layer, amorphous silicon, solar cell, solar cells, diode ideality factor, impedance spectroscopic measurement, open circuit voltage, ray photoelectron spectroscopy, boron atoms