Resumen

La aplicación de PECVD a baja temperatura es una opción muy tentadora para la formación de capas ultrafinas de silicio para aplicaciones nanoelectrónicas y nanofotónicas, ya que el posterior recocido de esta capa, independientemente de si se ejecuta como proceso individual realizado en un ambiente controlado o durante procesos posteriores a alta temperatura, permite cambios de fase y de contenido en la capa de silicio. Comprender los complejos cambios que pueden tener lugar durante dicho proceso, que dependen de su temperatura, condiciones (por ejemplo, disponibilidad de oxígeno) y plazo de tiempo, es un requisito fundamental para la aplicación consciente de dicha tecnología. Hay que tener en cuenta que los nanodispositivos, con su variedad sin precedentes de estructuras y dispositivos, requieren muchas tecnologías de fabricación diferentes. De ahí que, dependiendo de la aplicación que se tenga en mente, puedan parecer ventajosos distintos resultados del recocido de capas ultrafinas de silicio. Durante el procesamiento a alta temperatura (por ejemplo, el recocido) de la capa ultrafina de silicio por PECVD, hay que tener en cuenta tres efectos contrapuestos. Se trata de la recristalización del silicio amorfo y la oxidación del silicio amorfo y cristalino (tal como se ha depositado o simplemente recristalizado a partir de la fase amorfa tal como se ha depositado) (ambos presentan cinéticas diferentes por naturaleza). Hasta ahora, la mayor parte de la atención se ha prestado a la recristalización del silicio, lo que se justificaba por el hecho de que en las condiciones experimentales estudiadas (multicapas de silicio) la oxidación tenía ciertamente menos importancia. En determinadas aplicaciones, la estructura requerida del dispositivo consiste en una sola (y no múltiples) capa ultrafina de silicio, por lo que los efectos de la oxidación deben incluirse en las consideraciones. La comprensión de la dinámica y de las relaciones muy complejas entre estos efectos individuales es, por tanto, obligatoria para utilizar conscientemente esta técnica y conseguir las propiedades necesarias de la capa. Hay que dejar claro que aunque los resultados obtenidos, presentados en este estudio, se refieren a las capas de silicio fabricadas bajo ciertas condiciones (tipo particular de reactor PECVD y parámetros de proceso), pueden, sin embargo, ser fácilmente extrapolados para casos similares también. Los resultados que se presentan a continuación son, hasta donde sabemos, el primer intento satisfactorio de abordar estas cuestiones.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:capa ultrafina de silicio, muchas tecnologías de fabricación diferentes, recocido de la capa ultrafina de silicio, recristalización del silicio amorfo, primer intento con éxito, capa ultrafina de silicio, capas ultrafinas de silicio, recocido, capa, oxidación
• Keywords:pecvd ultrathin silicon layer, many different fabrication technologies, ultrathin silicon layer annealing, amorphous silicon recrystallization, first successful attempt, ultrathin silicon layer, ultrathin silicon layers, annealing, layer, oxidation