Se implementó un método de transporte de vapor químico (CVT) para crecer cristales masivos de ZnO. Se llevaron a cabo estudios de difracción de rayos X (XRD), microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (SEM) y microscopio óptico (OM) para caracterizar las propiedades de la superficie del cristal crecido. El resultado de XRD indicó que la interfaz sólido-vapor expuesta del cristal recién crecido estaba compuesta por caras (0001) y . Utilizando SEM y OM, observamos pequeñas pirámides hexagonales y microestructuras formadas por líneas cruzadas en el cristal recién crecido y encontramos pozos hexagonales de grabado térmico en las superficies de los cristales semilla. Se investigaron los mecanismos de formación, evolución y distribución de las microestructuras.
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