Resumen

El dopaje de los puntos cuánticos de silicio (Si QDs) es importante para hacer realidad las aplicaciones potenciales de los Si QDs en los campos de las células solares en tándem de Si QDs, los transistores de película fina y los dispositivos optoelectrónicos. Basándose en los cálculos de primer principio, se investigan las propiedades estructurales y electrónicas de los QDs de Si terminados en hidrógeno y dopados con boro (B) o fósforo (P). Según el análisis estructural, la distorsión estructural inducida por el dopaje con impurezas está relacionada con las características de las impurezas, su posición y el tamaño del QD. Además, nuestros cálculos de la estructura de bandas y de las densidades electrónicas de estado (DOS) asociadas a los QDs de Si considerados muestran que el dopaje con impurezas introducirá estados de impureza dentro de la brecha energética, y que se produce una división de espín para algunas configuraciones. También se ha realizado un análisis detallado de la influencia de la posición de las impurezas y del tamaño del QD en los niveles de impurezas.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:si qds, tamaño qd, dopaje de impurezas, posición de impurezas, estabilidad energética relativa, puntos cuánticos de silicio, células solares en tándem, estructura de bandas, análisis detallado, diferentes ubicaciones
• Keywords:si qds, qd size, impurity doping, impurity position, relative energetic stability, silicon quantum dots, tandem solar cells, band structure, detailed analysis, different locations