Presentamos una descripción teórica general del mecanismo de desfasaje extrínseco de la difusión espectral que domina la dinámica de decoherencia en puntos cuánticos de semiconductor a baja temperatura. Discutimos los límites de los ruidos estocásticos de telegrafía aleatoria y gaussiana y mostramos que la combinación de ambos en el marco de la teoría del ruido pre-Gaussiano permite una interpretación cuantitativa de experimentos de alta resolución en puntos cuánticos de semiconductor individuales. Enfatizamos la generalidad y la versatilidad de nuestro modelo donde la inclusión de procesos de salto asimétricos aparece como una extensión esencial para la comprensión de la física de los puntos cuánticos de semiconductor.
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