Resumen

Se han fabricado transistores de película delgada orgánica (OTFTs) a base de ftalocianina de cobre con óxido de circonio (ZrO) como dieléctrico de compuerta en sustratos de vidrio. El dieléctrico de compuerta se ha recocido en N a diferentes duraciones (5, 15, 40 y 60 min) para investigar los efectos del tiempo de recocido en las propiedades eléctricas de los OTFTs. Los resultados experimentales muestran que cuanto más largo sea el tiempo de recocido para el OTFT, mejor será el rendimiento. Entre los dispositivos estudiados, los OTFTs con dieléctrico de compuerta recocido a 350°C en N durante 60 min presentan el mejor rendimiento del dispositivo. Tienen un umbral de voltaje pequeño de 0,58 V, una pendiente subumbral baja de 0,8 V/década y una corriente de apagado baja de 0,73 nA. Estas características demuestran que el dispositivo

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Cobre; Ftalocianina; Transistores orgánicos de película delgada; Dieléctrico de compuerta; Tiempo de recocido; Propiedades eléctricas
• Keywords:Copper; Phthalocyanine; Organic thin-film transistors; Gate dielectric; Annealing time; Electrical properties