Los dispositivos MOSFET de cuerpo ultradelgado (UTB) y cuerpo a escala nanométrica (NSB), con un grosor de canal que va desde 46 nm (escala UTB) hasta 1.6 nm (escala NSB), fueron fabricados utilizando un proceso de receso de compuerta selectivo en la misma oblea de silicio. Las características complementarias de capacitancia y conductancia de compuerta a canal, medidas para los dispositivos NSB, resultaron ser radicalmente diferentes de las medidas para los UTBS. Se observan tendencias consistentes al variar la frecuencia (f), la longitud del canal (L), y el grosor del canal (T). En este artículo, demostramos que estas tendencias pueden ser modeladas analíticamente por una resistencia en serie masiva que depende del voltaje de compuerta y del grosor del canal. También se modelan los efectos de la conductancia de fuga y la densidad de trampas de interfaz. Este enfoque de modelado puede ser útil para analizar y/o simular el comportamiento eléctrico de nanodispositivos en los
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
Artículo:
Aplicación de los sistemas de soporte a la decisión (DSS) en el comercio electrónico
Artículo:
Oscilador cuadrature de tercer orden en modo actual utilizando CDTAs.
Artículo:
Antena periódica de ondas de fuga con pines de cortocircuito de doble cara y pares de ranuras
Artículo:
Una antena de parche monopolar de gran ancho de banda con acopladores de doble anillo
Artículo:
Simulación y análisis de las características de la propagación de la luz visible en interiores, basada en el método de SBR/Imagen