Resumen

Los dispositivos MOSFET de cuerpo ultradelgado (UTB) y cuerpo a escala nanométrica (NSB), con un grosor de canal que va desde 46 nm (escala UTB) hasta 1.6 nm (escala NSB), fueron fabricados utilizando un proceso de receso de compuerta selectivo en la misma oblea de silicio. Las características complementarias de capacitancia y conductancia de compuerta a canal, medidas para los dispositivos NSB, resultaron ser radicalmente diferentes de las medidas para los UTBS. Se observan tendencias consistentes al variar la frecuencia (f), la longitud del canal (L), y el grosor del canal (T). En este artículo, demostramos que estas tendencias pueden ser modeladas analíticamente por una resistencia en serie masiva que depende del voltaje de compuerta y del grosor del canal. También se modelan los efectos de la conductancia de fuga y la densidad de trampas de interfaz. Este enfoque de modelado puede ser útil para analizar y/o simular el comportamiento eléctrico de nanodispositivos en los

• Materias:Circuitos Comportamiento eléctrico Microcontrolador Topología de lógica Transistores
• Subjects:Circuits Electrical behavior Microcontroller Logic topology Transistors
• Palabras claves:Cuerpo ultradelgado; Cuerpo a escala nanométrica; Dispositivos MOSFET SOI; Espesor del canal; Capacitancia compuerta-canal; Conductancia
• Keywords:Ultrathin body; Nanoscale body; SOI MOSFET devices; Channel thickness; Gate-to-channel capacitance; Conductance