Resumen

Utilizando métodos de primeros principios, realizamos un estudio teórico de los clusters de carbono en nanocables de carburo de silicio (SiC). Examinamos pequeños cúmulos con intersticiales de carbono y antisitos en el crecimiento de nanocables de SiC pasivados por hidrógeno a lo largo de las direcciones [100] y [111]. Se calcularon las energías de formación de estos cúmulos en función de la concentración de carbono. Verificamos que la estabilidad energética de los defectos de carbono en los nanocables de SiC depende en gran medida de la composición de la superficie del nanocable: no se espera que la configuración energéticamente más favorable en el nanocable de SiC recubierto de carbono [100] se produzca en el nanocable de SiC recubierto de silicio [100]. También se obtuvieron las energías de enlace de algunos agregados, que indican que la formación de cúmulos de carbono en nanocables de SiC está energéticamente favorecida.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles
• Palabras claves:nanocables sic, nanocables sic, cúmulos de carbono, crecimiento de nanocables sic, concentración de carbono, defectos de carbono, intersticiales de carbono, estabilidad energética, configuración favorable, energías de formación
• Keywords:sic nanowire, sic nanowires, carbon clusters, sic nanowires growth, carbon concentration, carbon defects, carbon interstitials, energetic stability, favorable configuration, formation energies