Resumen

Se sintetizaron nanorods de Sb2Se3 dopados con Gd3 por el método de coreducción a 180°C y pH=12 durante 48 h. Los patrones de DRX en polvo indican que los cristales de GdxSb2-xSe3 (x=0,00-0,04) son isoestructurales con Sb2Se3. Los parámetros de célula a y b aumentan para Gd3 al aumentar el contenido de dopante (x), mientras que c disminuye. Las imágenes SEM muestran que el dopaje de iones Gd3 en la red de Sb2Se3 da lugar a nanorods. Los estudios de microscopía electrónica de transmisión de alta resolución (HRTEM) revelan que el Gd0,04Sb1,96Se3 está orientado en la dirección de crecimiento [10-1]. La absorción UV-Vis revela principalmente transiciones electrónicas de los iones Gd3 en los nanomateriales dopados. Los espectros de emisión de los materiales dopados muestran una banda de emisión aguda originada por la transición f-f 6P7/2→8S7/2 de los iones Gd3. La conductancia eléctrica del Sb2Se3 dopado con Gd es mayor que la del Sb2Se3 sin dopar y aumenta con la temperatura.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:gd3, sb2se3, iones, h. polvo xrd patrones, resolución microscopía electrónica de transmisión, banda de emisión aguda, espectros de emisión, cristales gdxsb2-xse3, imágenes sem, nanorods sb2se3
• Keywords:gd3, sb2se3, ions, h. powder xrd patterns, resolution transmission electron microscopic, sharp emission band, emission spectra, gdxsb2−xse3 crystals, sem images, sb2se3 nanorods