Resumen

Se realizan simulaciones de dinámica molecular de enlace estrecho (TBMD) para estudiar las estructuras atómicas y electrónicas durante los procesos de consolidación a alta temperatura del carburo de silicio nanocristalino bajo presión externa. Empleamos un método de escalado lineal (el método de expansión del operador de Fermi) con un algoritmo paralelo escalable para realizar cálculos eficientes de los fenómenos de larga escala temporal. Los resultados muestran que los procesos microscópicos de la consolidación dependen fuertemente de las orientaciones iniciales de los nanocristales. Se observa que un reordenamiento orientacional de los nanocristales inicialmente desalineados es inducido por una fuerza de cizallamiento instantánea entre nanocristales, mientras que el sistema alineado experimenta una densificación sin cizallamiento. El análisis de una distribución de carga efectiva y de una distribución media de orden de enlace revela evoluciones de la estructura electrónica durante estos procesos.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanopartículas Nanocompuestos Nanocables
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanoparticles Nanocomposites Nanowires
• Palabras claves:nanocristales, carburo de silicio nanocristalino, método de expansión de operadores, algoritmo paralelo escalable, procesos de consolidación de temperatura, enlace medio, distribución de cargas, cálculos eficientes, estructuras electrónicas, presión externa
• Keywords:nanocrystals, nanocrystalline silicon carbide, operator expansion method, scalable parallel algorithm, temperature consolidation processes, average bond, charge distribution, efficient calculations, electronic structures, external pressure