Resumen

Se presenta una evaluación comparativa de un transistor de efecto de campo de nanorbono de grafeno (GNRFET) y un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico a nanoescala (nano-MOSFET) para aplicaciones de integración a escala ultralarga (ULSI). El GNRFET resulta claramente superior en la arquitectura a nivel de circuito. Las notables propiedades de transporte del GNR lo convierten en una tecnología alternativa para sortear las limitaciones impuestas por la electrónica basada en el silicio. El GNRFET en ciernes, utilizando el software de modelado a nivel de circuito SPICE, exhibe un rendimiento enriquecido para puertas lógicas digitales en tecnología de proceso de 16 nm. La evaluación de estas métricas de rendimiento incluye el producto energía-retardo (EDP) y el producto potencia-retardo (PDP) del inversor y las puertas NOR y NAND, que forman los bloques de construcción para ULSI. La evaluación del EDP y el PDP se lleva a cabo para una longitud de interconexión de hasta 100 μm. Se ofrece un análisis, basado en la corriente-voltaje de drenaje y de puerta (Id-Vd e Id-Vg), para la oscilación subumbral (SS), la reducción de la barrera inducida por drenaje (DIBL) y la relación corriente activada/desactivada para la implementación del circuito. El GNRFET puede superar los efectos de canal corto que prevalecen en los MOSFET de Si de menos de 100 nm. El GNRFET proporciona una EDP y PDP reducidas de un orden de magnitud inferior a la de un MOSFET. Aunque el GNRFET es eficiente energéticamente, el rendimiento del circuito del dispositivo está limitado por las capacitancias de interconexión.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:gnrfet, edp, pdp, producto de retardo, transistor de efecto, software de modelado de niveles spice, compuertas lógicas digitales, campo de nanoribbonos de grafeno, nm si mosfet, tecnología de proceso nm
• Keywords:gnrfet, edp, pdp, delay product, effect transistor, level modeling software spice, digital logic gates, graphene nanoribbon field, nm si mosfet, nm process technology