Resumen

Las derivaciones son uno de los problemas clave en las células solares de silicio industriales que degradan el rendimiento de la célula. Este trabajo presenta un enfoque para la investigación de la degradación del rendimiento causada por la presencia de derivaciones óhmicas extendidas en varios lugares de las células solares de silicio industriales. La localización, naturaleza y área de las derivaciones existentes en las células solares han sido examinadas mediante termografía infrarroja lock-in (LIT). Basándose en las imágenes del LIT y en las curvas I-V oscuras experimentales de la célula solar, se ha modelado la célula con shunts, a partir de la cual se ha obtenido la pérdida en el factor de llenado y la eficiencia debida al shunt específico. El enfoque de modelado de diodos distribuidos de la célula solar ha sido explotado para obtener resultados de simulación que fueron apoyados por mediciones experimentales. El enfoque presentado es útil para estimar la reducción del rendimiento debido a derivaciones específicas y para cuantificar las pérdidas, lo que puede ayudar a mejorar la eficiencia de la célula solar durante la producción, abordando los problemas relacionados con las derivaciones en función del nivel de gravedad y tolerancia.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Photoelectric effect
• Palabras claves:célula solar, células solares, silicio industrial, enfoque de modelado de diodos, i oscuro experimental, derivaciones óhmicas extendidas, enfoque, eficiencia, imágenes iluminadas, curvas v
• Keywords:solar cell, solar cells, industrial silicon, diode modeling approach, experimental dark i, ohmic extended shunts, approach, efficiency, lit images, v curves