Las películas delgadas de Óxido de Zinc (ZnO) fueron crecidas sobre sustratos de vidrio conductor de Flúor dopado de Oxígeno de Estaño (FTO) con un espesor de 400 nm. Las películas híbridas de ZnO y del colorante a base de Rutenio denominado N719, fueron crecidas sobre un vidrio conductor FTO con un espesor de 600 nm. El crecimiento de las películas híbridas de ZnO/N719 se hizo en dos etapas, la primera mediante el uso de la técnica electroquímica de Electrodepósito catódico y la segunda mediante la técnica de inmersión. El efecto del incremento de la temperatura para el crecimiento de las películas hibridas hasta 80ºC permite una adsorción del colorante en la estructura del ZnO fija, modificando por completo la estructura hexagonal wurtzita del ZnO que se evaluarán utilizando el Microscopio Electrónico de Barrido (SEM) y Difracción de Rayos x (XRD). La respuesta del estudio Morfológico mediante el Microscopio Electrónico de Barrido (SEM) demostró que es posible obtener poros con un diámetro menor a 350 nm en la estructura interna del ZnO modificando completamente su forma hexagonal. La respuesta del estudio de los espectros de las propiedades ópticas en las películas híbridas de ZnO/N719, demostraron que se puede encontrar dos puntos de máxima absorción, uno en longitudes de onda de 340 nm y otro en longitudes de onda de 660 nm, esto, cuando se adhiere un Metal-X en la estructura del ZnO.
INTRODUCCIÓN
Las nanoestructuras ZnO, como material semiconductor han sido consideradas de gran interés para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos 1, emisores de luz 2-4 y en dispositivos para la transformación de la energía como las Células Solares Sensibilizadas con Colorantes (DSSC) 5-9. El ZnO, ha sido reconocido por sus propiedades catalíticas, eléctricas, químicas y fotoquímicas. Así mismo, se caracteriza porque a temperaturas elevadas incrementa la propiedad de fotoluminscencia (10. Tiene una banda prohibida de 3,37 eV a temperatura ambiente y una energía de enlace de excitón de 60 meV que asegura una emisión de electrones en la región del espectro de luz Ultra Violeta (UV) 11-13. Diversas técnicas electroquímicas son utilizadas para la obtención y crecimiento de nanoestructuras que dan paso a la formación de películas delgadas de ZnO, algunas como Evaporación Reactiva y Asistida por Iones, Ablación Láser, Pirólisis por Pulverización 14, Procesamiento Sol-Gel 15, Deposición Química de Vapor 16, Pulverización Catódica 17 y Electrodepósito Catódico (ECD) 18. El ZnO es un semiconductor de bajo costo tipo-n y sus cristales pueden describirse como planos alternos compuestos tetraédricamente coordinados por iones de O2- y Zn2+ agrupados a lo largo del eje-c 19. En los últimos años, los investigadores se han esforzado por incrementar las propiedades eléctricas de los materiales semiconductores con el fin de obtener altas eficiencia de conversión de energía.
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