Resumen

En este trabajo presentamos un método alternativo para depositar una película de pasivación de alta calidad para células solares de obleas de silicio de heterounión. La deposición de subóxido de silicio amorfo intrínseco hidrogenado se lleva a cabo mediante la descomposición de hidrógeno, silano y dióxido de carbono en una plataforma industrial de plasma acoplado inductivamente a distancia. Mediante la investigación de la presión parcial de CO2 y la temperatura de proceso, se consigue una excelente calidad de pasivación superficial y propiedades ópticas. Se ha descubierto que el contenido de hidrógeno en la película es mucho mayor que el que se suele encontrar en el silicio amorfo intrínseco debido a la incorporación de oxígeno. El lento agotamiento observado del hidrógeno con el aumento de la temperatura también mejora en gran medida su ventana de proceso. La vida útil efectiva de las muestras pasivadas simétricamente en condiciones óptimas supera los 4,7 ms en obleas planas de silicio Czochralski de tipo n con una resistividad de 1 Ωcm, lo que equivale a una velocidad de recombinación superficial efectiva inferior a 1,7 cms-1 y una tensión de circuito abierto (Voc) implícita de 741 mV. Una comparación con varios esquemas de pasivación de alta calidad para células solares revela que las películas depositadas por plasma de acoplamiento inductivo desarrolladas muestran una excelente calidad de pasivación. Sus excelentes propiedades ópticas y su resistencia a la degradación la convierten en un excelente sustituto para la producción industrial de células solares de silicio de heterounión.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:células solares, velocidad de recombinación superficial efectiva, excelente calidad de pasivación superficial, subóxido de silicio amorfo intrínseco, varios esquemas de pasivación de alta calidad, obleas de silicio tipo czochralski, excelente propiedad óptica, excelente calidad de pasivación, oblea de silicio de heterounión, silicio de heterounión industrial
• Keywords:solar cells, effective surface recombination velocity, excellent surface passivation quality, intrinsic amorphous silicon suboxide, several high quality passivation schemes, type czochralski silicon wafers, excellent optical property, excellent passivation quality, heterojunction silicon wafer, industrial heterojunction silicon