Resumen

Consideramos el modelo de deriva-difusión con generación de avalancha para la evolución en el tiempo de las densidades de electrones y huecos n, p acopladas con el potencial electrostático ψ en un dispositivo semiconductor. También suponemos que el término de difusión es degenerado. Se obtiene la existencia de soluciones locales débiles para este problema de valores de contorno mixto Dirichlet-Neumann.

• Materias:Análisis Matemático Álgebra Matemática aplicada Lógica matemática
• Subjects:Mathematical Analysis Algebra Applied Mathematics Mathematical logic
• Palabras claves:problema mixto de valor límite, potencial electrostático ψ, densidades de huecos n, soluciones locales débiles, generación de avalanchas, modelo de difusión, término de difusión, dispositivo semiconductor, dirichlet, neumann
• Keywords:mixed boundary value problem, electrostatic potential ψ, hole densities n, local weak solutions, avalanche generation, diffusion model, diffusion term, semiconductor device, dirichlet, neumann