Resumen

Proponemos un modelo simple, derivado de la teoría Pao-Sah, válido en todos los modos desde la inversión débil hasta la fuerte, para calcular la corriente de drenaje en el Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET). La doble integral de Pao-Sah se descompone en integrales simples con límites de integración calculados a partir de polinomios de Taylor de funciones inversas. La solución se presenta de forma analítica siempre que sea posible, y la integración se realiza mediante métodos numéricos simples (Simpson, Romberg) o algoritmos adaptativos y puede implementarse en un programa C sencillo o en software matemático habitual. La transconductancia y la corriente de difusión también se calculan con el mismo modelo.

• Materias:Filtro bicuadrático Filtros multifunción Teoría de Pao-Sah Frecuencias de transición Ondas de radiofrecuencia
• Subjects:Biquadratic filter Multifunction filters Pao-Sah theory Transition frequencies Radio frequency waves
• Palabras claves:Modelo propuesto; Teoría Pao-Sah; Corriente de drenaje; Transistor de Efecto de Campo Metal Óxido Semiconductor; Transconductancia; Corriente de difusión
• Keywords:Proposed model; Pao-Sah theory; Drain current; Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; Transconductance; Diffusion current