Resumen

Presentamos resultados experimentales sobre la liberación de dispositivos MEMS fabricados utilizando las capas metálicas de interconexión CMOS estándar como elementos estructurales y el dióxido de silicio aislante como capas de sacrificio. Los experimentos comparan los resultados de liberación de cuatro agentes de grabado diferentes en una tecnología CMOS (ácido fluorhídrico, fluoruro de amonio, una mezcla de ácido acético y fluoruro de amonio, y fluoruro de hidrógeno), describen diversos fenómenos encontrados durante el proceso de grabado y muestran los resultados de liberación de estructuras multicapa.

• Materias:Sensores Sensores táctiles Sensor termoeléctrico Sensores de fibra óptica Sensores piezoeléctricos
• Subjects:sensors Tactile sensors Thermoelectric sensor Fiber optic sensors Piezoelectric sensors
• Palabras claves:fluoruro de amonio, resultados de liberación, capas metálicas de interconexión cmos estándar, tecnología cmos, dispositivos mems, ácido acético, resultados experimentales, ácido fluorhídrico, fluoruro de hidrógeno, estructuras multicapa
• Keywords:ammonium fluoride, release results, standard cmos interconnection metal layers, cmos technology, mems devices, acetic acid, experimental results, hydrofluoric acid, hydrogen fluoride, multilayer structures