Este estudio examina las características eléctricas de salida -corriente-tensión (I-V) de salida, tensión umbral y capacitancia parásita- de los nuevos transistores de potencia de nitruro de galio (GaN). Las mediciones experimentales revelaron que tanto los transistores de efecto de campo (FET) de GaN de modo mejorado como los de modo depleción, que contenían diferentes componentes de idénticas especificaciones, presentaban una impedancia de desconexión variable; por lo tanto, la calidad del FET era inconsistente. El establecimiento de mediciones eléctricas normalizadas puede proporcionar la información necesaria a los diseñadores, y la medición de las características eléctricas de los transistores establece su modelo de circuito equivalente para las simulaciones de circuitos. Además, la salida de alta potencia requiere múltiples transistores de potencia en paralelo, y la clasificación de la diferencia entre características eléctricas similares es crítica en un sistema de potencia. Se propone un método de detección de conductores de puerta aislados para clasificar la uniformidad a partir de la opción de la característica de apagado. Además, se establece un modelo de circuito equivalente para los FET de GaN a partir de las características eléctricas medidas y se verifica experimentalmente.
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