Resumen

Este estudio se refiere a las características del diodo emisor de luz (LED) blanco basado en GaN sobre sustratos flexibles. Los LED azules basados en GaN de película fina se transfirieron directamente desde el zafiro a los sustratos flexibles de polidimetilsiloxano (PDMS) mediante un proceso de despegue por láser (LLO). A los sustratos de PDMS se les incorporó un fósforo de granate de aluminio dopado con 10-40 erio, YAG:Ce3 , y se formaron los LED blancos basados en GaN. Los LEDs blancos preparados por los LEDs basados en GaN sobre los sustratos YAG-PDMS revelan un pico a 470 nm correspondiente a la emisión del LED basado en GaN y una banda ancha que incluye cinco picos débiles causados por los fósforos YAG:Ce3.

• Materias:Aluminio Propiedades fisicoquímicas Hidráulica Agua Ingenierí­a hidráulica Soldadura Hidróxido de aluminio
• Subjects:Aluminum Chemicophysical properties Hydraulics Water Hydraulic engineering Welding Aluminum hydroxide
• Palabras claves:led de base, sustrato pdms, led blanco de base, gan de película fina, gan, yag, led azul de base, fósforo de granate de aluminio, itrio dopado con cerio, pico débil
• Keywords:based led, pdms substrate, based white led, thin film gan, gan, yag, based blue led, aluminum garnet phosphor, cerium doped yttrium, weak peak