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Artículo

Fabrication of Si3N4 Nanocrystals and Nanowires Using PECVDFabricación de nanocristales y nanocables de Si3N4 mediante PECVD

Resumen

Se prepararon nanocables y nanocristales de Si3N4 sobre sustratos de Si con o sin catalizador de Fe utilizando silano (SiH4) y nitrógeno (N2) como gases reactivos mediante la tecnología de deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD). Con el catalizador de Fe, se desarrollaron nanohilos de Si3N4, lo que indica que el catalizador de Fe desempeñó un papel para que las moléculas de Si3N4 se depositaran direccionalmente en hilos. La densidad de los nanocables está estrechamente relacionada con la densidad del catalizador de Fe. Cuando se redujo notablemente la densidad de iones de Fe en el sustrato, se fabricó un nanohilo de Si3N4 liso y superlargo de 12 μm de longitud. Tras analizar el mecanismo de crecimiento, se desarrolló un modelo de crecimiento para los nanohilos de Si3N4. El crecimiento de los nanocristalinos de Si3N4 se atribuyó a un proceso de deposición vapor-sólido (V-S).

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