Se produjeron células solares de semiconductores compuestos con sistema de cobre mediante un método de revestimiento por rotación, y se investigaron el rendimiento y las estructuras de sus células. Se produjeron células solares basadas en disulfuro de cobre e indio (CIS) con dióxido de titanio (TiO2) sobre SnO2 dopado con F (FTO). Un dispositivo basado en una estructura FTO/CIS/TiO2 proporcionó un mejor rendimiento de la célula en comparación con el basado en una estructura FTO/TiO2/CIS. También se fabricaron células solares basadas en óxido cúprico (CuO) y óxido cuproso (Cu2O) con fullereno (C60) sobre FTO y óxido de indio y estaño (ITO). Se investigó la microestructura y el rendimiento de las células de la heterojunción CuO/C60 y de la estructura de heterojunción Cu2O:C60. Los dispositivos fotovoltaicos basados en las estructuras FTO/CuO/C60 e ITO/Cu2O:C60 proporcionaron una densidad de corriente de cortocircuito de 0,015 mAcm-2 y 0,11 mAcm-2, y una tensión de circuito abierto de 0,045 V y 0,17 V bajo una iluminación de masa de aire 1,5, respectivamente. Las microestructuras de las capas activas se examinaron mediante difracción de rayos X y microscopía electrónica de transmisión.
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