Resumen

Se describe la fabricación de películas de silicio policristalino (poli-Si) de 1,25 μm de espesor mediante cristalización inducida por aluminio (AIC) en dos etapas para su aplicación en células solares de película fina. La película de poli-Si de 250 nm de espesor inducida en la primera etapa se utiliza como capa semilla para la cristalización de una película de silicio amorfo (a-Si) de 1 μm de espesor en la segunda etapa. Las temperaturas de recocido en las dos etapas son ambas de 500°C. El efecto del tiempo de recocido (15, 30, 60 y 120 minutos) en la segunda etapa sobre la cristalización de la película de a-Si se investiga mediante difracción de rayos X (DRX), microscopía electrónica de barrido y espectroscopía Raman. Los resultados de DRX y Raman confirman que las películas de poli-Si inducidas lo son mediante el proceso propuesto.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:cristalización, película de si, segunda etapa, silicio amorfo grueso, silicio policristalino grueso, xrd, película, resultados raman, espectroscopia raman, películas de si
• Keywords:crystallization, si film, second stage, thick amorphous silicon, thick polycrystalline silicon, xrd, film, raman results, raman spectroscopy, si films