Resumen

Se preparan absorbedores de película fina de Cu(InGa)Se2 (CIGS) mediante procesos de sputtering y selenización. Los precursores CuGa/In se selenizan durante el recocido térmico rápido (RTA), mediante la deposición de una capa de Se sobre ellos. Este trabajo investiga el efecto del contenido de Cu en los precursores sobre las propiedades estructurales y eléctricas del absorbente. Utilizando difracción de rayos X, microscopía electrónica de barrido de emisión de campo, espectroscopía Raman y medidas de efecto Hall, se observa que las películas delgadas de CIGS producidas presentan granos facetados y una única fase de calcopirita con una orientación preferente a lo largo del plano (1 1 2). Un precursor pobre en Cu con una relación Cu/(In Ga) de 0,75 muestra una mayor resistencia, debido a un aumento de la dispersión en el límite de grano y a una reducción del tiempo de vida del portador. Un precursor rico en Cu con una relación Cu/(In Ga) de 1,15 muestra una segunda fase inadecuada (Cu2-xSe) en el absorbedor. Sin embargo, el precursor con una relación Cu/(In Ga) de 0,95 presenta granos más grandes y menor resistencia, lo que resulta adecuado para su aplicación en células solares. La deposición de este precursor sobre sustrato de vidrio sodocálcico recubierto de Mo y posterior RTA provoca la formación de una capa de MoSe2 en la interfaz del Mo y el CIGS.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:cigs, relación, sustrato de vidrio sodocálcico recubierto, medición del efecto hall, segunda fase inapropiada, recocido térmico rápido, fase única de calcopirita, absorbedores de película fina, absorbedor, deposición
• Keywords:cigs, ratio, coated soda lime glass substrate, hall effect measurement, inappropriate second phase, rapid thermal annealing, single chalcopyrite phase, thin film absorbers, absorber, deposition