Resumen

En este artículo se presenta un sensor piezoresistivo de presión barométrica fabricado mediante una tecnología de Silicio-en-Nada (SON). Se han recocido una serie de zanjas de silicio en un entorno de hidrógeno para formar una membrana de silicio cristalino continuo sobre una cavidad de vacío. A continuación, se completa el crecimiento epitaxial sobre la membrana de silicio para obtener el grosor deseado. Todos los procesos son compatibles con CMOS y se realizan en la cara frontal de la oblea de silicio. El sensor piezorresistivo de presión barométrica se ha demostrado con una histéresis de presión tan baja como 0,007%.

• Materias:Biotecnología Sensores Sistema de sensores Tecnología de sensores
• Subjects:Biotechnology sensors Sensor system Sensor technology
• Palabras claves:sensor piezoresistivo de presión barométrica, membrana de silicio cristalino, crecimiento epitaxial, cara frontal, entorno de hidrógeno, histéresis de presión, membrana de silicio, zanjas de silicio, oblea de silicio, cavidad de vacío
• Keywords:piezoresistive barometric pressure sensor, crystalline silicon membrane, epitaxial growth, front side, hydrogen environment, pressure hysteresis, silicon membrane, silicon trenches, silicon wafer, vacuum cavity