Resumen

Se describe la fabricación de un transistor de efecto de campo sensible a los iones (ISFET) utilizando nitruro de silicio (Si3N4) como membrana de detección para la medición del pH y el ADN. Para la medición del pH, se utilizó el electrodo Ag/AgCl como electrodo de referencia, y en el análisis del ISFET se emplearon diferentes valores de pH de solución tampón. El dispositivo ISFET se probó con soluciones tampón de pH2, pH3, pH7, pH8 y pH9. Los resultados muestran que la característica IV de los dispositivos ISFET es directamente proporcional y la sensibilidad del dispositivo fue de 43,13 mV/pH. El ISFET se modifica químicamente para permitir la integración con un elemento biológico y formar un transistor de efecto de campo biológicamente activo (BIOFET). Se descubrió que las actividades de inmovilización del ADN que se producían en la membrana de detección provocaban la caída de la corriente de drenaje debido a que las espinas dorsales cargadas negativamente de las sondas de ADN repelían la acumulación de electrones en el canal conductor. La corriente de drenaje disminuía aún más cuando se producía la hibridación del ADN.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:transistor de efecto, medición de ph, actividades de inmovilización de adn, diferentes valores de ph, soluciones tampón de ph, isfet, membrana, electrodo agcl, hibridación de adn, sondas de adn
• Keywords:effect transistor, ph measurement, dna immobilization activities, different ph values, ph buffer solutions, isfet, membrane, agcl electrode, dna hybridization, dna probes